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Samsung 990 EVO Plus SSD 4TB PCIe 4.0x 4 NVMe 2.0
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Samsung
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Marca Samsung
MZ-V9S4T0BW
SSD NVMe · 4TB · M.2 2280
Tipo SSD NVMe | Capacidad 4 TB | ||
Formato M.2 2280 | Conexión PCIe Gen4 x4 · NVMe 2.0 | ||
Rendimiento
| Lectura sec. | 7,250 MB/s | |||
| Escritura sec. | 6,300 MB/s | |||
| IOPS lect. (QD32) | 1,050K IOPS | |||
| IOPS escr. (QD32) | 1,400K IOPS |
Características
TRIMS.M.A.R.TAuto GCAES 256-bitTCG/OpalIEEE 1667HMB CacheModo Suspensión
⚡ Lect. 5.5W / Escr. 4.8W Consumo | △ 0–70 °C Temperatura | 🛡 1.5M h MTBF | |||
🔌 3.3 V Voltaje | ↔ 80.15×22.15×2.38 mm Dimensiones | ⚖ máx. 9 g Peso | |||
EAN 8806095575667
Samsung
MZ-V9S4T0BW
SSD
Capacidad
4TB
Interfaz
PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0
Formato
M.2 (2280)
Rendimiento
Lectura secuencial: hasta 7250 MB/s
Escritura secuencial: hasta 6300 MB/s
Lectura aleatoria (4KB, QD32): hasta 1.050.000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB, QD32): hasta 1.400.000 IOPS
Otras Características
Memoria caché: HMB (búfer de memoria del host)
Soporte TRIM
Soporte S.M.A.R.T
GC(Garbage collection): Algoritmo de recolección automática de basura
SOPORTE DE CIFRADO
Cifrado AES de 256 bits (Clase 0) TCG/Opal
IEEE1667 (unidad cifrada)
Soporte WWN
Soporte del modo de suspensión del dispositivo
Alimentación
Consumo medio de energía (Nivel de sistema):
Promedio: Lectura 5,5 W / Escritura 4,8 W
Consumo de energía (inactivo): Típico 60 mW
Consumo de energía (reposo del dispositivo): 5 mW típico
Voltaje permitido: 3,3 V ± 5 % Tensión permitida
Confiabilidad (MTBF): Fiabilidad de 1,5 millones de horas (MTBF)
Temperatura de funcionamiento: 0 - 70 ºC Temperatura de funcionamiento
Choque: 1.500 G y 0,5 ms (medio seno)
Dimensiones y peso
80,15 x 22,15 x 2,38mm
Max. 9 g
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