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Samsung 990 PRO HeatSink SSD 4TB PCIe 4.0 NVMe M.2
Entregados únicamente en Valencia.
Samsung
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707.02
€
1
Marca Samsung
MZ-V9P4T0CW
SSD NVMe · 4TB · M.2 2280 · Con disipador
Tipo SSD NVMe | Capacidad 4 TB | ||
Formato M.2 2280 | Conexión PCIe 4.0 x4 · NVMe 2.0 | ||
Rendimiento
| Lectura sec. | 7,450 MB/s | |||
| Escritura sec. | 6,900 MB/s | |||
| IOPS lect. (QD32) | 1,600K IOPS | |||
| IOPS escr. (QD32) | 1,550K IOPS |
Características
TRIMS.M.A.R.TAuto GCAES 256-bitTCG/OpalIEEE 1667V-NAND TLCDDR4 4GB
⚡ 6.5–8.6 W Consumo | △ 0–70 °C Temperatura | 🛡 1.5M h MTBF | |||
🔌 3.3 V Voltaje | ↔ 80×22×2.3 mm Dimensiones | ⚖ 9.0 g Peso | |||
EAN 8806094946857
Samsung
MZ-V9P4T0CW
SSD
Capacidad
4 TB
Interfaz
PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
Formato
M.2 2280
Otras Características
Memoria de almacenamiento: Samsung V-NAND TLC
Controller: Samsung in-house Controller
Memoria caché: Samsung 4GB Low Power DDR4 SDRAM
Soporte TRIM
Soporte S.M.A.R.T
GC (Garbage Collection): Auto Garbage Collection Algorithm
Encriptación: AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)
Soporte Modo Suspensión en dispositivo
Lectura secuencial: 7,450 MB/s
Escritura secuencial: 6,900 MB/s
Lectura aleatoria (4KB, QD32): 1,600,000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB, QD32): 1,550,000 IOPS
Lectura aleatoria (4KB, QD1): 22,000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB, QD1): 80,000 IOPS
Entorno
Consumo energético medio: 6.5- 8.6 W
Consumo energético (Idle): Max. 55 mW
Voltaje soportado: 3.3 V ± 5 %
Durabilidad (MTBF): 1.5 Million Hours Reliability (MTBF)
Temperatura: 0 - 70ºC
Golpes: 1,500 G & 0.5 ms
Dimensiones y peso
80 x 22 x 2.3 mm
9.0g
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